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光宇分享场效应管和mos管区别

来源: 发布时间:2022-03-26

本期上海光宇小编给大家分享的是场效应管和mos管的区别主要体现在以下几个方面

 1、主体不同2、特性不同3、规则不同,场效应管分为MOS场效应管和结型场效应管。现在主要使用MOS场效应管,即通常所称的MOS管。MOS是金属-氧化物-半导体的简称,即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J Junction,即“结”,表示PN结的结。FET Field Effect Transistor,即场效应管。


一、主体不同

1、场效应:V型槽MOS场效应管。这是MOSFET后新开发的高效、电源开关设备。

2、MOS管:金属-氧化物-半导体场效应管属于绝缘栅类型。

二、特性不同

1、场效应:MOS场效应晶体管输入阻抗(≥108W)、驱动电流小(左右0.1A),同时继承耐压高( 耐压1200V)、工作电流(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)。

2、MOS管:主要特点是金属门和沟道之间有二氧化硅绝缘层,输入电阻高( 1015Ω)。


三、规则不同

1.场效应:集电子管和功率晶体管的优点于一体,广泛应用于电压放大器(电压放大率数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中。


2.MOS管:VGS=0时,管道处于闭合状态,加上正确的VGS后,大多数载流子将被拉到闸门中,“增强”该区域的载流子,形成导电沟。


以上就是上海光宇睿芯微电子有限公司给各位带来的关于场效应管和mos管区别,想要了解更多知识欢迎访问我们的官网!

三、规则不同1.场效应:集电子管和功率晶体管的优点于一体,广泛应用于电压放大器(电压放大率数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中。


2.MOS管:VGS=0时,管道处于闭合状态,加上正确的VGS后,大多数载流子将被拉到闸门中,“增强”该区域的载流子,形成导电沟。



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