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  • 安徽PC半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件
    安徽PC半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件

    再进行等静压成型的两步成型方式能够得到密度更大、更均匀的***预制坯。步骤s140:将***预制坯以℃/min~℃/min的速率升温至900℃,保温2h~4h,进行排胶。具体地,排胶过程在真空排胶炉中进行。通过上述排胶过程能够除去***预制坯中的粘结剂、分散剂等有机物质。步骤s150:将***预制坯与第二碳源混合加热,使第二碳源呈液态,然后加压至3mpa~7mpa,得到第二预制坯。具体地,第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、沥青、酚醛树脂及环氧树脂中的至少一种。在本实施方式中,第二碳源与***碳源可以相同,也可以不同。具体地,步骤s150包括:将***预制坯与第二碳源在28...

  • 江苏HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工绝热
    江苏HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工绝热

    驱动轴3通过非圆柱体的驱动连接部310与异形孔之间的配合将扭矩传递至驱动衬套2,从而能够在工艺盘组件进行变速运动时,避免驱动轴3与驱动衬套2之间发生相对滑动,保证了驱动衬套2与驱动轴3之间的对位精度,进而提高了工艺盘转轴1旋转角度的控制精度。为实现驱动衬套2与工艺盘转轴1的匹配,同时提高驱动衬套2与工艺盘转轴1之间的对位精度,推荐地,如图5至图12所示,驱动衬套2的外壁上形成有至少一个定位凸起222,对应的,安装孔的侧壁上形成有至少一个定位槽,定位凸起222一一对应地插入定位槽中。如图11、图12所示为本实用新型的实施例中驱动衬套2插入工艺盘转轴1的底端安装孔时,定位凸起222插入定位...

  • 浙江PC半导体与电子工程塑料零件定制加工多厚
    浙江PC半导体与电子工程塑料零件定制加工多厚

    工艺盘组件还包括升降机构11,升降机构11与轴承座10连接,用于驱动轴3承座沿传动筒4的轴线方向运动。在本实用新型的实施例中,传动筒4通过轴承轴向固定于轴承座10内,因此升降机构11可以带动传动筒4升降,进而带动工艺盘转轴1和工艺盘01在腔室中升降。推荐地,如图2至4所示,工艺盘组件还包括波浪管6,波浪管6套设在传动筒4的外侧,波浪管6的一端与轴承座10固定连接,波浪管6的另一端用于与工艺腔密封连接。需要说明的是,波浪管6的上端与工艺腔(图未示)的腔室连通,波浪管6的下端与传动机构之间不连通,由于将波浪管气孔61输入的工艺气体导入腔室中以及将反应后的气体由波浪管气孔61导出。在轴承座1...

  • 山东PE半导体与电子工程塑料零件定制加工隔音吗
    山东PE半导体与电子工程塑料零件定制加工隔音吗

    然后加压至3mpa~7mpa,得到第二预制坯;及将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结,得到碳化硅陶瓷。在其中一个实施例中,所述将所述***预制坯与第二碳源混合加热的步骤中,加热的温度为280℃~340℃,加热时间为1h~3h。在其中一个实施例中,所述第二预制坯与所述硅粉的质量比为1∶(~);及/或,所述将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结的步骤中,烧结的温度为1400℃~1800℃,时间为1h~5h。在其中一个实施例中,所述将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理的步骤包括:将所述金属元素的氯化物、所述***分散剂...

  • 天津HIPS半导体与电子工程塑料零件定制加工密度
    天津HIPS半导体与电子工程塑料零件定制加工密度

    常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯,要求的纯度在6个“9”以上,**高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类,一类是不改变材料的化学组成进行提纯,称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯,再将提纯后的化合物还原成元素,称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等,使用**多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等,使用**多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性,因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作...

  • 江苏电木半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度
    江苏电木半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度

    本实用新型涉及治具领域,尤其涉及一种针对半导体零件的抓数治具。背景技术:半导体零件即半导体晶体,晶体是脆性的,加工过程中会在边缘形成碎石块似的崩碎。如有较大应力加载到晶体的解理方向上,会造成很大的崩碎面积,破坏中间已加工好的表面。因此,在加工端面前,应对半导体晶体进行端面边缘的倒角,使得在加工端面时,不容易产生破坏性的崩口。然而,在实际加工时,大部分的晶体多多少少的会发生不影响晶体性能的轻微崩口,以及极少部分会发生破坏性的崩口,为了防止破坏后的晶体被继续使用,因此,我们需要制作一个治具,用于检测晶体的崩口尺寸,将破坏严重的晶体剔除。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以...

  • 河北PC半导体与电子工程塑料零件定制加工品牌排行榜
    河北PC半导体与电子工程塑料零件定制加工品牌排行榜

    表1实施例和对比例的碳化硅陶瓷的力学性能数据从上表1中可以看出,实施例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度均在400mpa左右,实施例2得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度甚至高达451mpa,远高于对比例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度。实施例得到的碳化硅陶瓷的显微硬度至少为2441hv,致密度均在3g/cm3以上,而对比例得到的碳化硅陶瓷的抗显微硬度和致密度均较低。由此可以看出,采用实施例中的碳化硅陶瓷的制备方法得到的碳化硅陶瓷的力学性能较好。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为...

  • 浙江HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工什么材料
    浙江HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工什么材料

    常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯,要求的纯度在6个“9”以上,**高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类,一类是不改变材料的化学组成进行提纯,称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯,再将提纯后的化合物还原成元素,称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等,使用**多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等,使用**多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性,因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作...

  • 上海PC半导体与电子工程塑料零件定制加工密度
    上海PC半导体与电子工程塑料零件定制加工密度

    本实用新型涉及治具领域,尤其涉及一种针对半导体零件的抓数治具。背景技术:半导体零件即半导体晶体,晶体是脆性的,加工过程中会在边缘形成碎石块似的崩碎。如有较大应力加载到晶体的解理方向上,会造成很大的崩碎面积,破坏中间已加工好的表面。因此,在加工端面前,应对半导体晶体进行端面边缘的倒角,使得在加工端面时,不容易产生破坏性的崩口。然而,在实际加工时,大部分的晶体多多少少的会发生不影响晶体性能的轻微崩口,以及极少部分会发生破坏性的崩口,为了防止破坏后的晶体被继续使用,因此,我们需要制作一个治具,用于检测晶体的崩口尺寸,将破坏严重的晶体剔除。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以...

  • 浙江PF 半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务
    浙江PF 半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务

    企业优势竭诚并努力为客户提供质量服务获得更多客户信赖专业现有设备CNC加工中心近百余台,具有专业的技术团队诚信公司实行现代化企业管理,导入ISO2000生产管理系统创新追求***、迅速改善、诚信经营;追求优品质、高效率的服务宗旨走进博杰利恩携手共创美好的明天WalkintoBojielien企业文化荣誉资质设备展示公司成立于2010年,主要以生产电脑、手机、医疗器械等设备的金属、塑胶零件及配套产品加工、自动化配件的加工、昆山CNC加工、上海CNC加工、苏州CNC加工以及各类治具的设计和加工。公司实行现代化企业管理,导入ISO2000生产管理系统,现有设备CNC加工中心近百余台,具有专业...

  • 北京CPVC半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件
    北京CPVC半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件

    然后将碳化硅颗粒在真空条件、700℃下进行热处理4h,得到预处理颗粒。(2)将第二分散剂聚乙烯醇溶解在水中形成溶液,将***碳源石墨和预处理颗粒在该溶液中均匀分散,再以环氧树脂与酚醛树脂的混合物作为粘结剂加入其中,进行球磨,球磨过程中的转速为100转/分,球磨时间为5h,得到第三浆料,将第三浆料在喷雾造粒塔中喷雾,得到平均尺寸为60微米的造粒粉。(3)将造粒粉均匀填满模具,进行模压成型,成型压强为70mpa,保压时间为90s,脱模,然后置入真空包装袋中,抽真空,**后置于等静压机中等静压成型,成型压力为200mpa,保压时间为60s,得到***预制坯。(4)将***预制坯放置于真空排胶...

  • 上海FRP半导体与电子工程塑料零件定制加工多厚
    上海FRP半导体与电子工程塑料零件定制加工多厚

    附图标记说明01:工艺盘1:工艺盘转轴2:驱动衬套210:***衬套部211:驱动通孔211a:避让槽220:第二衬套部221:轴通孔222:定位凸起3:驱动轴310:驱动连接部320:驱动轴体部311:定位平面312:圆柱面4:传动筒41:内凸台结构42:外凸台结构43:挡环槽5:密封衬套6:波浪管7:挡环8:调平件9:传动架91:传动法兰92:法兰连接件10:轴承座101:上法兰102:下法兰11:升降机构12:电机13:定位块具体实施方式以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式*用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。本...

  • 江西电木半导体与电子工程塑料零件定制加工品牌排行榜
    江西电木半导体与电子工程塑料零件定制加工品牌排行榜

    采用此技术方案,有助于减少**基准块和第二基准块的变形。作为推荐,所述抓数治具的表面粗糙度设置在。采用此技术方案,表面光滑便于使用,以提升半导体零件的抓数精度。本实用新型的有益效果是:设计新颖,结构简单、合理,能够通过设置的**基准面和第二基准面定位半导体零件的位置,并通过设置的圆弧基准台的切边抓取半导体零件的倒角以及崩口的尺寸,以剔除不良的半导体零件;且同一治具上设置有多个抓数治具,有助于批量检测。上述说明*是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明。本实用新型的具体实施方式由以下实...

  • 北京PC半导体与电子工程塑料零件定制加工隔音吗
    北京PC半导体与电子工程塑料零件定制加工隔音吗

    上述碳化硅陶瓷的制备方法能够获得具有较好的力学性能的碳化硅陶瓷。附图说明图1为一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法的工艺流程图。具体实施方式为了便于理解本发明,下面将结合具体实施方式对本发明进行更***的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻***。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的,不是旨在于限制本发明。请参阅图1,一实...

  • 山东PC半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度
    山东PC半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度

    本实用新型涉及半导体设备领域,具体地,涉及一种半导体设备中的工艺盘组件,以及一种包括该工艺盘组件的半导体设备。背景技术:半导体设备通常由工艺腔和设置在工艺腔内的工艺盘组成,工艺盘用于承载待加工的工件,工件与工艺腔中通入的工艺气体发生化学反应或者由工艺气体形成沉积物沉积在工件表面,完成晶片的外延等半导体工艺。为了保证工艺盘上热量的均匀性,通常采用电机等设备驱动工艺盘旋转,目前的工艺盘驱动机构通常包括滑动轴、衬套和石英转轴。其中,石英转轴用于驱动工艺盘旋转,衬套套设在滑动轴上,石英转轴套设在衬套上,且滑动轴、衬套和石英转轴三者轴线重合,衬套通过贴合面之间的摩擦作用将滑动轴的扭矩传递至石英转...

  • 山东PP半导体与电子工程塑料零件定制加工推荐厂家
    山东PP半导体与电子工程塑料零件定制加工推荐厂家

    以避免轴承座10与工艺腔碰撞导致传送组件精度下降。为进一步提高传动筒4的稳定性,避免外界物质进入轴承座10,推荐地,如图3、图4所示,工艺盘组件还包括密封衬套5,密封衬套5环绕设置在传动筒4的外壁上。需要说明的是,密封衬套5与轴承座之间为固定连接关系,如图4所示,推荐地,密封衬套5的内壁上还设置有用于容纳密封圈的密封圈槽,在传动筒4转动时,与轴承座固定连接的密封衬套5持续地与传动筒4摩擦。为提高密封衬套5的耐磨性能,推荐地,密封衬套5为不锈钢材料。在实验研究中,发明人还发现,现有的半导体设备工艺效果不佳的原因在于,个别轴套类部件上的密封件在传动机构的运动过程中会逐渐沿轴向移动,偏离预定...

  • 江苏PE半导体与电子工程塑料零件定制加工规格尺寸
    江苏PE半导体与电子工程塑料零件定制加工规格尺寸

    然后加压至3mpa~7mpa,得到第二预制坯;及将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结,得到碳化硅陶瓷。在其中一个实施例中,所述将所述***预制坯与第二碳源混合加热的步骤中,加热的温度为280℃~340℃,加热时间为1h~3h。在其中一个实施例中,所述第二预制坯与所述硅粉的质量比为1∶(~);及/或,所述将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结的步骤中,烧结的温度为1400℃~1800℃,时间为1h~5h。在其中一个实施例中,所述将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理的步骤包括:将所述金属元素的氯化物、所述***分散剂...

  • 北京PC半导体与电子工程塑料零件定制加工检测
    北京PC半导体与电子工程塑料零件定制加工检测

    应使用子程序[1]。CNC加工(3张)CNC加工CNC优缺点编辑CNC数控加工有下列优点:①大量减少工装数量,加工形状复杂的零件不需要复杂的工装。如要改变零件的形状和尺寸,只需要修改零件加工程序,适用于新产品研制和改型。②加工质量稳定,加工精度高,重复精度高,适应飞行器的加工要求。③多品种、小批量生产情况下生产效率较高,能减少生产准备、机床调整和工序检验的时间,而且由于使用**佳切削量而减少了切削时间。④可加工常规方法难于加工的复杂型面,甚至能加工一些无法观测的加工部位。数控加工的缺点是机床设备费用昂贵,要求维修人员具有较高水平。CNC加工数控加工编辑数控加工是指用数控的加工工具进行的...

  • 河北HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工管材
    河北HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工管材

    然后加压至3mpa~7mpa,得到第二预制坯;及将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结,得到碳化硅陶瓷。在其中一个实施例中,所述将所述***预制坯与第二碳源混合加热的步骤中,加热的温度为280℃~340℃,加热时间为1h~3h。在其中一个实施例中,所述第二预制坯与所述硅粉的质量比为1∶(~);及/或,所述将所述第二预制坯和硅粉进行反应烧结的步骤中,烧结的温度为1400℃~1800℃,时间为1h~5h。在其中一个实施例中,所述将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理的步骤包括:将所述金属元素的氯化物、所述***分散剂...

  • 天津PC半导体与电子工程塑料零件定制加工保冷
    天津PC半导体与电子工程塑料零件定制加工保冷

    采用此技术方案,有助于减少**基准块和第二基准块的变形。作为推荐,所述抓数治具的表面粗糙度设置在。采用此技术方案,表面光滑便于使用,以提升半导体零件的抓数精度。本实用新型的有益效果是:设计新颖,结构简单、合理,能够通过设置的**基准面和第二基准面定位半导体零件的位置,并通过设置的圆弧基准台的切边抓取半导体零件的倒角以及崩口的尺寸,以剔除不良的半导体零件;且同一治具上设置有多个抓数治具,有助于批量检测。上述说明*是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明。本实用新型的具体实施方式由以下实...

  • 天津PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳
    天津PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳

    所述在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理的步骤中,加热处理的时间为1h~4h。在其中一个实施例中,所述将所述造粒粉成型,得到***预制坯的步骤包括:将所述造粒粉先进行模压成型,成型压力为70mpa~170mpa,保压时间为10s~90s,然后进行等静压成型,成型压力为200mpa~400mpa,保压时间为60s~180s,得到所述***预制坯。在其中一个实施例中,所述将所述造粒粉成型,得到***预制坯的步骤之后,所述将所述***预制坯与第二碳源混合加热的步骤之前,还包括:将所述***预制坯以℃/min~℃/min的速率升温至900℃,保温2h~4h,进行排胶;及/或,所述将所述...

  • 山东HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工特质
    山东HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工特质

    工艺盘组件还包括升降机构11,升降机构11与轴承座10连接,用于驱动轴3承座沿传动筒4的轴线方向运动。在本实用新型的实施例中,传动筒4通过轴承轴向固定于轴承座10内,因此升降机构11可以带动传动筒4升降,进而带动工艺盘转轴1和工艺盘01在腔室中升降。推荐地,如图2至4所示,工艺盘组件还包括波浪管6,波浪管6套设在传动筒4的外侧,波浪管6的一端与轴承座10固定连接,波浪管6的另一端用于与工艺腔密封连接。需要说明的是,波浪管6的上端与工艺腔(图未示)的腔室连通,波浪管6的下端与传动机构之间不连通,由于将波浪管气孔61输入的工艺气体导入腔室中以及将反应后的气体由波浪管气孔61导出。在轴承座1...

  • FRP半导体与电子工程塑料零件定制加工密度
    FRP半导体与电子工程塑料零件定制加工密度

    2.汽车光电子市场。目前汽车防撞雷达已在很多***车上得到了实用,将来肯定会越来越普及。汽车防撞雷达一般工作在毫米波段,所以肯定离不开砷化镓甚至磷化铟,它的中频部分才会用到锗硅。由于全球汽车工业十分庞大,因此这是一个必定会并发的巨大市场。3.半导体照明技术的迅猛发展。基于半导体发光二极管(LED)的半导体光源具有体积小、发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、环保、耐冲击不易破、废弃物可回收,没有污染,可平面封装、易开发成轻薄短小产品等优点,具有重大的经济技术价值和市场前景。特别是基于LED的半导体照明产品具有高效节能、绿色环保优点,在全球能源资源有限和保护环境可持续发展的双重背景下,...

  • 江苏半导体与电子工程塑料零件定制加工
    江苏半导体与电子工程塑料零件定制加工

    上述碳化硅陶瓷的制备方法能够获得具有较好的力学性能的碳化硅陶瓷。附图说明图1为一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法的工艺流程图。具体实施方式为了便于理解本发明,下面将结合具体实施方式对本发明进行更***的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻***。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的,不是旨在于限制本发明。请参阅图1,一实...

  • 江西制造半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度
    江西制造半导体与电子工程塑料零件定制加工厚度

    并实现对工艺盘的角度进行调整,进一步推荐地,当采用上述配合面轴向错开的设计时,驱动通孔211与驱动连接部310之间为过盈配合,第二衬套部220的圆柱面与安装孔之间为过盈配合。在本实用新型的实施例中,设置工艺盘转轴1、驱动衬套2与驱动轴3之间均为过盈配合,从而使得工艺盘转轴1和驱动衬套2能够在安装后保持与驱动轴3之间的同轴度。并且,*通过调整驱动轴3的朝向即可微调工艺盘转轴1的角度,并**终实现对工艺盘的角度进行调整。为避免驱动通孔211与驱动连接部310之间的配合面尺寸的偏差导致零件损坏,推荐地,如图6所示,驱动通孔211的内壁上形成有避让槽211a,避让槽211a与驱动通孔211内壁...

  • 北京电木半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件
    北京电木半导体与电子工程塑料零件定制加工加工件

    八0%的硅单晶、大部份锗单晶以及锑化铟单晶是用此法出产的,其中硅单晶的**大直径已经达三00毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已经出产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体笼盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以出产锗单晶。水平定向结晶法主要用于砷化镓单晶,而垂直定向结晶法用于碲化镉、砷化镓。用各种法子出产的体单晶再经由晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、侵蚀、清洗、检测、封装等全体或者部份工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的法子...

  • 湖北HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务
    湖北HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务

    PbS)很早就用于无线电检波,氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器,闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料,碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是**早发现并被利用的元素半导体,曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页,从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年***制备出高纯度(~)的锗开始的。采用元素半导体硅(Si)以后,不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高,而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为**的Ⅲ-Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。半导体材...

  • 浙江制造半导体与电子工程塑料零件定制加工要求
    浙江制造半导体与电子工程塑料零件定制加工要求

    表1实施例和对比例的碳化硅陶瓷的力学性能数据从上表1中可以看出,实施例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度均在400mpa左右,实施例2得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度甚至高达451mpa,远高于对比例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度。实施例得到的碳化硅陶瓷的显微硬度至少为2441hv,致密度均在3g/cm3以上,而对比例得到的碳化硅陶瓷的抗显微硬度和致密度均较低。由此可以看出,采用实施例中的碳化硅陶瓷的制备方法得到的碳化硅陶瓷的力学性能较好。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为...

  • 上海HIPS半导体与电子工程塑料零件定制加工保冷
    上海HIPS半导体与电子工程塑料零件定制加工保冷

    八0%的硅单晶、大部份锗单晶以及锑化铟单晶是用此法出产的,其中硅单晶的**大直径已经达三00毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已经出产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体笼盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以出产锗单晶。水平定向结晶法主要用于砷化镓单晶,而垂直定向结晶法用于碲化镉、砷化镓。用各种法子出产的体单晶再经由晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、侵蚀、清洗、检测、封装等全体或者部份工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的法子...

  • 湖南HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工哪里买
    湖南HDPE半导体与电子工程塑料零件定制加工哪里买

    ***浆料中的金属元素的氯化物在环氧丙烷的作用下沉淀。步骤s116:将第二浆料进行喷雾,然后在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理,得到预处理颗粒。具体地,在闭式喷雾塔中将第二浆料进行喷雾。步骤s116中加热处理的时间为1h~4h。将第二浆料喷雾后再进行加热处理,使得稀土元素或锶元素的氯化物转化为氧化物且均匀分布在碳化硅表面。采用上述步骤能够使稀土元素或锶元素均匀沉降在碳化硅颗粒的表面,在后续处理过程中,稀土元素或锶元素会存在于晶界处,具有促进烧结、降低气孔率的作用,从而提高碳化硅陶瓷的抗弯强度等力学性能。而传统的碳化硅陶瓷的制备过程中,通常将金属元素的氧化物作为助烧剂直接与碳化...

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