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来源: 发布时间:2022-08-17

    图3为依据本发明另一实施方式的半导体晶圆干燥设备的剖视图。具体实施方式以下将以附图公开本发明的多个实施方式。为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明的部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号表示相同或相似的部分。除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包含技术以及科学术语)对于所属领域中的技术人员通常理解的涵义。还应理解到,诸如常用的字典中定义的术语的解读,应使其在相关领域与本发明中具有一致的涵义,且将不以理想化或过度正式的意义解释,除非明确如此定义。请参照图1,其为依据本发明一实施方式的半导体晶圆干燥设备100的剖视图。半导体晶圆干燥设备100是用以干燥半导体晶圆200,半导体晶圆200为包含半导体材料的圆形薄片,其常用于集成电路的制造。在本实施方式中,如图1所示,半导体晶圆干燥设备100包含基座110、壳体120以及微波产生器130。基座110被配置成承载半导体晶圆200。壳体120以金属制成。安徽半导体晶圆制作流程。东莞半导体晶圆推荐咨询

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    本发明是关于一种半导体晶圆干燥设备。背景技术:半导体产业涉及各种制造与测试过程,而其中一些过程涉及化学处理。在化学处理过程中,化学溶液接触晶圆并与其发生反应。在化学处理后,以去离子水(deionizedwater,diw)对晶圆进行清洗处理,应接着先干燥晶圆以避免晶圆损坏,并维持接下来的过程中的执行精细度。技术实现要素:本发明的一方面是在于提出一种可简化半导体晶圆干燥的过程并有效降低作业成本的半导体晶圆干燥设备。依据本发明的一实施方式,一种半导体晶圆干燥设备包含基座、壳体以及微波产生器。基座被配置成承载半导体晶圆。壳体与基座形成被配置成容纳半导体晶圆的腔室。壳体具有远离基座的排气口。微波产生器设置于壳体上,并且被配置成对腔室发射微波。在本发明的一个或多个实施方式中,微波产生器设置于壳体外。壳体具有多个穿孔,其被配置成供微波穿越。在本发明的一个或多个实施方式中,微波产生器为多个,并且环绕腔室分布。在本发明的一个或多个实施方式中,半导体晶圆干燥设备进一步包含旋转器,其连接基座,并且被配置成旋转基座。在本发明的一个或多个实施方式中,基座的转速实质上为10rpm。在本发明的一个或多个实施方式中,壳体的材料包含金属。北京半导体晶圆定制价格进口半导体晶圆产品的价格。

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    逐步缩短时间τ2来运行doe,直到可以观察到图案结构被损伤。由于时间τ2被缩短,气泡内的气体或蒸汽的温度不能被足够冷却,从而会引起气泡内的气体或蒸汽的平均温度的逐步上升,**终将会触发气泡内爆,触发时间称为临界冷却时间τc。知道临界冷却时间τc后,为了增加安全系数,时间τ2可以设置为大于2τc的值。因此,可以确定清洗工艺的参数,使得施加声能的清洗效果导致的产量提高大于因施加声能造成的损伤而导致的产量下降。也可以例如由客户规定损伤百分比的预定阈值。可以确定清洗工艺的参数,使得损伤百分比低于预定阈值,或者基本上为零,甚至为零。预定阈值可以是例如,10%,5%,2%,或1%。如果晶圆生产的**终产量没有受到清洗过程造成的任何损害的实质性影响,则损伤百分比实质上为零。换句话说,从整个制造过程来看,清洗过程造成的任何损伤都是可以容许的。如前所述,损伤百分比可以通过使用电子显微镜检查样品晶圆来确定。图8a至图8d揭示了根据本发明的另一个实施例的声波晶圆清洗工艺。在该声波晶圆清洗工艺中,电源的功率水平p的振幅随着时间变化,而这个工艺中的其他方面与图7a至图7d中所示的保持一样,在该实施例中。

    本申请关于半导体,特别是关于晶圆级芯片封装基板结构的设计与制作。背景技术:现代电子装置越来越轻薄短小,集成电路的尺寸不*缩小,还有薄型化的趋势。相较于传统芯片,薄型化的芯片能够承受的物理应力与热应力较小。在进行热处理与其他加工工艺时,特别是当芯片焊贴到印刷电路板时,物理应力与热应力容易造成基板的裂纹与/或翘曲,进而导致半导体元器件失效。除此之外,当芯片薄型化之后,由于导电的线路可能变小变窄,使得电阻增加。不利于降低消耗功率,也导致温度上升的速度较快。当散热效率无法应付温度上升的速度时,可能需要额外的散热组件,就丧失薄型化芯片的优点。据此,需要一种具有较强强度的基板结构,以便减低芯片在进行热处理、加工与焊贴等工序时,因为应力或热应力而导致失效的机率。在此同时,还要降低上述基板结构的电阻值,以便减少消耗功率,降低热耗损,增进芯片的使用寿命。技术实现要素:本申请所提供的基板结构以及晶圆级芯片封装的基板结构,在芯片的中心部分具有较薄的晶圆层,可以降低基板结构的整体电阻值。在芯片的周边部分具有边框结构,在芯片的中心部分可以具有一或多重内框结构,以弥补较薄晶圆层的结构强度。半导体晶圆价格走势..

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    该中心凹陷区域位于该***内框结构区域当中,该***环状凹陷区域位于该边框结构区域当中。进一步的,为了更弥补较薄晶圆层的结构强度,其中该***芯片区域更包含该屏蔽层未覆盖的一第二环状凹陷区域与该屏蔽层覆盖的一第二内框结构区域,该***内框结构区域完全包围该第二环状凹陷区域,该第二环状凹陷区域包围该第二内框结构区域,该第二内框结构区域包围该中心凹陷区域。进一步的,为了保护该金属层,并且降低物理应力与热应力的影响,该晶圆制造方法更包含:在该金属层上涂布树酯层。进一步的,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,上述的各步骤是针对该晶圆层的该多个芯片区域同时施作。进一步的,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,该晶圆制造方法更包含:进行该多个芯片区域的切割。进一步的,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,该晶圆制造方法更包含:在该涂布树酯层的步骤之后,进行该多个芯片区域的切割。进一步的,为了让基板结构所承载的半导体组件的设计简化,其中该边框结构区域依序包含***边结构区域、第二边结构区域、第三边结构区域与第四边结构区域。半导体级4-12inc晶圆片。深圳半导体晶圆收费

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    图32a至图32c揭示了根据本发明的一个实施例的如图27所示的振幅检测电路27092的示例。该振幅检测电路27092示例性包括参考电压生成电路和比较电路。如图32b所示,参考电压生成电路使用d/a转换器32118将主控制器26094的数字输入信号转换为模拟直流参考电压vref+和vref-,如图32c所示。比较电路使用窗口比较器32114及与门32116来比较电压衰减电路26090输出的振幅vin和参考电压vref+和vref-。如果衰减后的振幅vin超过参考电压vref+和/或vref-,那么振幅检测电路27092发送报警信号到主机25080,主机25080接收到报警信号则关闭声波发生器25082来避免对晶圆1010上的图案结构造成损伤。图33揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗工艺的流程图。该晶圆清洗工艺从步骤33010开始,首先将清洗液施加至晶圆和超声波或兆声波装置之间的间隙中。在步骤33020中,设置超声波或兆声波电源的频率为f1,功率为p1以驱动超声波或兆声波装置。在步骤33030中,将检测到的通电时间与预设时间τ1进行比较,如果检测到的通电时间长于预设时间τ1,则关闭超声波或兆声波电源并发出报警信号。在步骤33040中,在清洗液中的气泡气穴振荡损伤晶圆上的图案结构之前设置超声波或兆声波电源输出为零。东莞半导体晶圆推荐咨询

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