江门半导体晶圆产品介绍

来源: 发布时间:2022-08-17

    图3为依据本发明另一实施方式的半导体晶圆干燥设备的剖视图。具体实施方式以下将以附图公开本发明的多个实施方式。为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明的部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号表示相同或相似的部分。除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包含技术以及科学术语)对于所属领域中的技术人员通常理解的涵义。还应理解到,诸如常用的字典中定义的术语的解读,应使其在相关领域与本发明中具有一致的涵义,且将不以理想化或过度正式的意义解释,除非明确如此定义。请参照图1,其为依据本发明一实施方式的半导体晶圆干燥设备100的剖视图。半导体晶圆干燥设备100是用以干燥半导体晶圆200,半导体晶圆200为包含半导体材料的圆形薄片,其常用于集成电路的制造。在本实施方式中,如图1所示,半导体晶圆干燥设备100包含基座110、壳体120以及微波产生器130。基座110被配置成承载半导体晶圆200。壳体120以金属制成。半导体晶圆的运用场景。江门半导体晶圆产品介绍

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    气穴振荡是一种混沌现象。空化气泡的产生及其破裂受到很多物理参数的影响。这些猛烈的气穴振荡例如不稳定的气穴振荡或微喷射将损伤这些图案结构(鳍结构、槽和通孔)。在传统的超声波或兆声波清洗过程中,只有当功率足够高,例如大于5-10瓦时,才会产生***的颗粒去除效率(“pre”)。然而,当功率大于约2瓦时,晶圆开始有明显的损伤。因此,很难找到功率窗口使得晶圆在被有效清洗时避免重大的损伤。因此,维持稳定或可控的气穴振荡是控制声波机械力低于损伤限度而仍然能够有效地去除图案结构中的杂质颗粒的关键。因此,提供一种系统和方法,用于控制在晶圆清洗过程中由超声波或兆声波设备产生的气泡气穴振荡,以便能够有效地去除细小的杂质颗粒,而不会损伤晶圆上的图案结构。技术实现要素:本发明提出一种清洗半导体晶圆的方法,包括在清洗过程中输送清洗液到半导体晶圆表面;在该清洗过程中通过声波换能器向清洗液传递声能,以在***预定时段以***预定设置及在第二预定时段以第二预定设置交替向声波换能器供电,其中,清洗液中的气泡气穴振荡在***预定时段内增大,在第二预定时段内减小,***预定时段和第二预定时段连续的一个接着一个,因此。西安半导体晶圆制造半导体制程重要辅助设备。

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    图案结构4034包括需要清洁的多个特征,包括但不限于鳍、通孔、槽等。气泡4044变成微喷射,它可以非常猛烈,达到几千大气压以及几千摄氏度。参考图4b所示,一旦微喷射发生,图案结构4034的一部分被损伤。对于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圆,这种损伤更为严重。图5a至图5c揭示了在晶圆清洗过程中气泡5016内的热能变化。当声波正压作用在气泡5016上时,气泡5016如图5a中所示体积减小。在体积减小的过程中,声波压强pm对气泡5016做功,机械功转化为气泡5016内的热能。因此,气泡5016内的气体和/或蒸汽的温度t如图5b所示那样增加。各参数间的关系可用如下公式表示:p0v0/t0=pv/t(1)其中,p0是压缩前气泡内部的压强,v0是压缩前气泡的初始体积,t0是压缩前气泡内部的气体温度,p是受压时气泡内部的压强,v是受压时气泡的体积,t是受压时气泡内部的气体温度。为了简化计算,假设压缩或压缩非常慢时气体的温度没有变化,由于液体包围了气泡而导致的温度的增加可以忽略。因此,一次气泡压缩过程中(从体积n单位量至体积1单位量或压缩比为n),声压pm所做的机械功wm可以表达如下:wm=∫0x0-1psdx=∫0x0-1(s(x0p0)/(x0-x))dx=sx0p0∫0x0-1dx/(x0-x)=-sx0p0ln。

    提供具有边框结构的基板结构、半导体晶圆、以及晶圆制作方法。根据本申请的一实施例,提供一种承载半导体组件的基板结构,其特征在于,包含:一晶圆层,具有相对应的一***表面与一第二表面,其中该第二表面具有向该***表面凹陷的一中心凹陷区域,该中心凹陷区域位于该第二表面当中,使得该晶圆层的一边框结构区域环绕在该第二表面周围;以及一金属层,具有相对应的一第三表面与一第四表面,该第三表面完全贴合于该第二表面。在一实施例中,为了弥补较薄晶圆层的结构强度,其中该第二表面更包含具有向该***表面凹陷的一***环状凹陷区域,该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域位于该第二表面当中,使得该晶圆层在该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一***内框结构区域。在一特定实施例中,为了更弥补较薄晶圆层的结构强度,其中该第二表面更具有向该***表面凹陷的第二环状凹陷区域,该第二环状凹陷区域位于该第二表面当中,使得该晶圆层在该第二环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一第二内框结构区域,该***环状凹陷区域完全包含环状的该***内框结构区域,该***内框结构区域完全包围该第二环状凹陷区域,该第二环状凹陷区域完全包围该第二内框结构区域。晶圆的基本工艺有哪些?

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    声波能量不能有效地传递到通孔或槽中,到达它们的底部和侧壁,而微粒、残留物和其他杂质18048则被困在通孔或槽中。当临界尺寸w1变小时,这种情况很容易发生在先进的半导体工艺中。参考图18i至图18j所示,气泡18012的尺寸增大控制在一定范围内,气泡总体积vb与通孔或槽或其他凹进区域的总体积vvtr的比值r远低于饱和点rs。因为在特征内有小气泡气穴振荡,新鲜的清洗液18047在通孔或槽中自由交换,使得残留物和颗粒等杂质18048可以轻易地排出,从而获得良好的清洗性能。由于通孔或槽中气泡的总体积由气泡的数量和大小决定,因此控制气穴振荡引起的气泡尺寸膨胀对于具有高深宽比特征的晶圆的清洗性能至关重要。图19a至图19d揭示了对应于声能的气泡体积变化。在气穴振荡的***个周期,当声波正压作用于气泡后,气泡体积从v0压缩至v1;当声波负压作用于气泡后,气泡体积膨胀至v2。然而,对应v2的气泡的温度t2要高于对应v0的气泡的温度t0,因此如图19b所示v2要大于v0。这种体积增加是由气泡周围的液体分子在较高温度下蒸发引起的。类似的,如图19b所示,气泡第二次压缩后的体积v3在v1与v2之间。v1、v2与v3可表示为:v1=v0-△v(12)v2=v1+δv。什么才可以称为半导体晶圆?西安半导体晶圆制造

半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造和封装测试。江门半导体晶圆产品介绍

    该中心凹陷区域位于该***内框结构区域当中,该***环状凹陷区域位于该边框结构区域当中。在一实施例中,为了更弥补较薄晶圆层的结构强度,其中该***芯片区域更包含该屏蔽层未覆盖的一第二环状凹陷区域与该屏蔽层覆盖的一第二内框结构区域,该***内框结构区域完全包围该第二环状凹陷区域,该第二环状凹陷区域包围该第二内框结构区域,该第二内框结构区域包围该中心凹陷区域。在一实施例中,为了保护该金属层,并且降低物理应力与热应力的影响,该晶圆制造方法更包含:在该金属层上涂布树酯层。在一实施例中,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,上述的各步骤是针对该晶圆层的该多个芯片区域同时施作。在一实施例中,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,该晶圆制造方法更包含:进行该多个芯片区域的切割。在一实施例中,为了使用晶圆级芯片制造技术来加速具有上述基板结构的芯片制作,该晶圆制造方法更包含:在该涂布树酯层的步骤之后,进行该多个芯片区域的切割。在一实施例中,为了让基板结构所承载的半导体组件的设计简化。江门半导体晶圆产品介绍

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